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| 项目名称 |  一种单层电容器及其制备方法 |
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| 项目品类 | 信息类型 | ||
| 参考价格 | 面议 万元 | 项目状态 | 【】 |
| 专利名称 | 一种单层电容器及其制备方法
国内专利 |
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| 申请号/专利号 (例如：CN，JP) |
CN201010515312.8 | 专利权人 | 广东风华高新科技股份有限公司 |
| 申请日 | 2010-10-22 | 授权日 | 2012-09-05 |
| 公开（公告）号 (例如：CN，JP) |
法律状态 | 已授权 | |
| 行业分类 | 一级 二级 三级 | ||
| 战略性新兴产业分类 | 一级 二级 三级 | ||
| 意向价格 | 面议 万元 | 权属人所属地域 | 省 市 区 |
| IPC分类 | 一级 二级 三级 | ||
| 专利类别 | 发明 | ||
| 是否有PCT 选项： | |||
| 合作方式 | 技术转让 | ||
| 专利摘要 |
本发明公开了一种单层电容器及其制备方法，包括瓷浆制备、制备陶瓷生片、烧结、清洗、在陶瓷介质主体的上下表面分别附着电极层、切割，其中烧结时，陶瓷生片放置于下氧化锆板，上氧化锆板通过垫片支撑覆盖于下氧化锆板上方；电极层通过真空溅射形成；切割采用激光切割。由该制备方法制得的单层电容器，能够符合设计要求，成品合格率大大提高，其长宽尺寸为0.25-2.54mm，厚度仅为0.1-0.5mm，尺寸超小，并具有超低的串联等效电阻和串联等效电感，在射频微波下高Q值，应用频率可达数GHz到数十GHz，故本发明产品可应用于混合微波集成电路和单片微波集成电路等。
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| 信息有效期 | 至 |
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