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项目名称 | 沉积-刻蚀-沉积反应系统 | ||
项目品类 | 信息类型 | ||
参考价格 | 面议 万元 | 项目状态 | 【】 |
专利名称 | 沉积-刻蚀-沉积反应系统
国内专利 |
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申请号/专利号 (例如:CN,JP) |
CN200720144361.9 | 专利权人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
申请日 | 授权日 | ||
公开(公告)号 (例如:CN,JP) |
CN201138658Y | 法律状态 | 无效 |
行业分类 | 一级 二级 三级 | ||
战略性新兴产业分类 | 一级 二级 三级 | ||
意向价格 | 面议 万元 | 权属人所属地域 | 省 市 区 |
IPC分类 | 一级 二级 三级 | ||
专利类别 | 实用新型 | ||
是否有PCT 选项: | |||
合作方式 | 技术转让 技术服务 技术许可 技术转让,技术许可 |
专利摘要 |
一种沉积-刻蚀-沉积反应系统,所述反应系统包括第一反应装置,用以执行沉积操作;第二反应装置,与第一反应装置分离,用以执行刻蚀操作;制程控制装置,用以承载及运送所述半导体基底,并完成所述半导体基底在所述第一反应装置和所述第二反应装置间的切换。可减少刻蚀操作对沉积-刻蚀-沉积反应装置(如HDPCVD反应装置)造成的损伤。 |
信息有效期 | 至 2018-03-31 |
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