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项目名称 分析磁场装置内腔体保护层的监测装置及分析磁场装置
项目品类 信息类型
参考价格 面议 万元 项目状态
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专利登记表(供给方)

专利名称 分析磁场装置内腔体保护层的监测装置及分析磁场装置     
国内专利
申请号/专利号
(例如:CN,JP)
CN201220158770 专利权人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日 授权日
法律状态 已授权
行业分类 一级    二级    三级 
意向价格 面议 万元 权属人所属地域 省    市    区 
IPC分类 一级    二级    三级 
专利类别 实用新型
是否有PCT 选项:
合作方式


专利摘要

本实用新型公开了一种分析磁场装置内腔体保护层的监测装置,所述保护层设置于所述分析磁场装置的腔体内壁,包括两侧面分别覆盖绝缘层的检测电极、真空电极和监测控制单元,所述检测电极设置于所述保护层的内部,所述检测电极通过真空电极和位于腔体外部的所述监测控制单元连接。一旦离子击穿保护层及绝缘层进入检测电极或者由于保护层意外破裂使得离子进入检测电极,检测电极将该信号通过真空电极反馈到监测控制单元,使得工作人员及时知晓保护层的出现故障,以便工作人员可以及时对保护层进行检修或更换,确保离子注入工艺安全可靠进行,提高产品良率。本实用新型还公开了一种采用上述监测装置的分析磁场装置。



信息有效期      至   2018-03-31

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