【技术概述】我院研制出的具有自主技术和知识产权支撑的高精度、低漂移、高可靠、抗冲击位移传感器，突出解决了设计、制造、测试、可靠性等关键技术难题，在传感器抗振动、抗冲击设计、抗干扰设计、密封防护设计、宽温区、低漂移设计等方面具有创新性。

【主要技术指标】温区范围：-45~125℃；精度：0.3%FS；抗振动：35g；抗冲击：100g。

【适用范围】除可应用于航天、兵器外，还可推广应用于汽车、智能电网等领域。

【技术状态】小批量生产、工程应用阶段。

【预期效益】产品投产后，可改变国内汽车、智能电网等企业高端位移传感器主要依赖进口的格局，打破国外产品的垄断，提升我国传感器制造的工艺水平和技术水平。预期年收入可达千万元以上。