【技术概述】通过半导体掺杂工艺，实现深量子阱电子基态向高能级跃迁，再返回基态时，将能量以光子的形式释放。通过不同的量子阱厚度和掺杂浓度，用金属氧化物化学气相沉积（MOCVD）法生长出不同的外延片，已获得不同的波长（颜色）和发光强度。在民用领域，可为城市照明，装饰，汽车工业等提供重要的技术支撑。

【主要技术指标】全色系发光，发光强度在6000mcd以上，色温300K-9000K都可实现。

【适用范围】照明、医疗、汽车、建筑等。

【专利状态】授权发明专利1项，实用新型专利8项

【技术状态】批量生产、成熟应用阶段

【合作方式】合作开发

【预期效益】年产值预期3000万，5年后预期产值2个亿。