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| 项目名称 |  制备及调控表面粗化的ZnO纳米锥或纳米棒阵列的方法 |
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| 项目品类 | 信息类型 | ||
| 参考价格 | 面议 万元 | 项目状态 | 【】 |
| 专利名称 | 制备及调控表面粗化的ZnO纳米锥或纳米棒阵列的方法
国内专利 |
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| 申请号/专利号 (例如：CN，JP) |
CN201210016269.X | 专利权人 | 山东大学 |
| 申请日 | 2012-1-18 | 授权日 | 2014-1-1 |
| 公开（公告）号 (例如：CN，JP) |
CN102583504A | 法律状态 | 已授权 |
| 行业分类 | 一级 二级 三级 | ||
| 战略性新兴产业分类 | 一级 二级 三级 | ||
| 意向价格 | 面议 万元 | 权属人所属地域 | 省 市 区 |
| IPC分类 | 一级 二级 三级 | ||
| 专利类别 | 发明 | ||
| 是否有PCT 选项： | |||
| 合作方式 | 技术转让 | ||
| 专利摘要 |
| 本发明公开了一种制备及调控表面粗化的ZnO纳米锥或纳米棒阵列的方法，包括以下步骤：(1)选择并清洗衬底；(2)用磁控溅射仪在衬底上常温溅射一层致密结晶性好的ZnO种子层；(3)用水热法在衬底上生长ZnO纳米锥或纳米棒阵列；(4)选择不同的酸性或碱性腐蚀液，调节腐蚀液浓度、腐蚀时间，得到不同腐蚀程度的表面粗化纳米结构。本发明用简单的方法制作了复杂的纳米结构，调节形貌的范围大，操作简单、易于调控、重复性好，能有效的调节ZnO纳米锥或纳米棒表面粗糙度，增加比表面积和提高表面活性等特性，对于将来更有效的提高传感器灵敏度、提高光催化效率、提高LED的光提取效率非常有益。 |
| 信息有效期 | 至 |
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