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| 项目名称 |  集记忆电阻与隧穿磁电阻的自旋记忆电阻器件及制备方法 |
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| 项目品类 | 信息类型 | ||
| 参考价格 | 面议 万元 | 项目状态 | 【】 |
| 专利名称 | 集记忆电阻与隧穿磁电阻的自旋记忆电阻器件及制备方法
国内专利 |
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| 申请号/专利号 (例如：CN，JP) |
CN201210449048.1 | 专利权人 | 山东大学 |
| 申请日 | 2012-11-9 | 授权日 | 2014-8-13 |
| 公开（公告）号 (例如：CN，JP) |
CN102945922A | 法律状态 | 已授权 |
| 行业分类 | 一级 二级 三级 | ||
| 战略性新兴产业分类 | 一级 二级 三级 | ||
| 意向价格 | 面议 万元 | 权属人所属地域 | 省 市 区 |
| IPC分类 | 一级 二级 三级 | ||
| 专利类别 | 发明 | ||
| 是否有PCT 选项： | |||
| 合作方式 | 技术转让 | ||
| 专利摘要 |
| 本发明涉及集记忆电阻与隧穿磁电阻于一体的多功能自旋记忆电阻器件及制备方法。该多功能自旋记忆电阻器件采用Co/CoO-ZnO/Co磁性隧道结，在外加电压下具有双极阻变效应，在外加磁场下具有隧穿磁电阻效应；磁性隧道结上、下均溅射Ag电极，下电极Ag接地，当上电极Ag加一定的正电压时，磁性隧道结由高阻态转换为低阻态，当上电极Ag加一定的负电压时，磁性隧道结由低阻态变为高阻态。本发明还提供多功能自旋记忆电阻器件的制备方法。本发明结合隧穿磁电阻和电致电阻效应，通过电场和磁场的作用成功实现了Co/CoO-ZnO/Co中多重电阻状态的调控。该器件可用于多态存储器和模拟神经网络。 阻变存储器作为一种新型的非挥发性存储器，是以薄膜材料的电阻在高阻态(HRS)和低阻态(LRS)之间实现可逆转换为基本原理并作为记忆的方式。阻变存储器(RRAM)因为其具有制备简单、存储密度高、操作电压低、读写速度快、保持时间长、尺寸小、非破坏性读取、低功耗等优点被广泛研究，从而有成为下一代通用存储器的潜力。隧穿磁电阻效应以饱和磁场低、磁阻效应大等优点受到广泛关注。在铁磁层/绝缘层/铁磁层(FM/I/FM)这种结构中存在巨磁电阻，这种三明治结构产生遂穿效应的原理是:自旋极化电子遂穿非磁性层的势垒而产生遂穿电流。由于磁隧道结中两铁磁层间不存在或基本不存在层间稱合，因而只需要一个很小的外磁场将其中的一个铁磁层的磁化方向反向即可实现隧穿电阻的巨大变化，故隧道结较之金属多层膜具有高得多的磁场灵敏度，因而无论是作为计算机的读出磁头、磁传感器，还是作为磁电阻型的随机存储器，都具有无与伦比的优点，其应用前景十分看好，世界各发达国家都给予了高度重视。 |
| 信息有效期 | 至 |
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