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| 项目名称 |  单根ZnO微米线同质结发光二极管的制备方法 |
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| 项目品类 | 信息类型 | ||
| 参考价格 | 面议 万元 | 项目状态 | 【】 |
| 专利名称 | 单根ZnO微米线同质结发光二极管的制备方法
国内专利 |
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| 申请号/专利号 (例如：CN，JP) |
CN201310730886.0 | 专利权人 | 辽宁师范大学 |
| 申请日 | 2013-12-26 | 授权日 | 2016-09-14 |
| 公开（公告）号 (例如：CN，JP) |
CN103695866A | 法律状态 | 已授权 |
| 行业分类 | 一级 二级 三级 | ||
| 战略性新兴产业分类 | 一级 二级 三级 | ||
| 意向价格 | 面议 万元 | 权属人所属地域 | 省 市 区 |
| IPC分类 | 一级 二级 三级 | ||
| 专利类别 | 发明 | ||
| 是否有PCT 选项： | 无 | ||
| 合作方式 | 技术转让 | ||
| 专利摘要 |
本发明公开一种单根ZnO微米线同质结发光二极管的制备方法，是采用简单的CVD方法通过控制生长时间等参数，首先在衬底上生长一层高取向的未掺杂n型ZnO微米线，然后在其上继续生长一层Sb掺杂的p型ZnO微米线，从而制备出ZnO微米线的同质结，再从样品衬底底部剥离出单根的微米线，在其两端做好电极，所得微米线直径为10~100μm，长度为1~20mm。不但制备过程简单、成本低，通过对该器件测试表明该器件具有良好的整流特性和极强的发光性能。（18-629） |
| 信息有效期 | 至 |
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