沟道半导体薄膜是薄膜晶体管的重要组成元件，非晶氧化物半导体材料应用在柔性显示屏的薄膜晶体管上是大势所趋，本课题组利用PLD 制备（GaO)x(Ln2O3)y(ZnO)多元氧化物纳米薄膜及其为沟道层的薄膜晶体管。采用固相反应烧结法制备出IGZO陶瓷靶材，并研究烧结温度，颗粒度、药品纯度等参数对成品靶材的物理性质的影响；采用脉冲激光沉积法制备出透明氧化物半导体IGZO薄膜，并研究基底温度、靶基距、基地材料等工艺参数对薄膜光学、电学性质以及薄膜结构的影响；测试薄膜厚度、晶格结构、电子价态、表面形貌等；采用PLD完成薄膜制备过程，改进了IGZO氧化物半导体薄膜的迁移率，达到国际先进水平。材料适用于薄膜晶体管、肖特基二极管等多种电子器件。